51單片機內部資源詳解與使用教程(共70頁pdf資料下載)

ID:291075 · 發表于 2018-3-13 11:11

51單片機內部資源詳解
1、整體簡介
2、端口
3、定時器
4、串口
5、中斷

原因：
如果此時該端口的負載恰是一個晶體管基極，且原端口輸出值為1，那么導通了的PN結會把端口引腳高電平拉低；若此時直接讀端口引腳信號，將會把原輸出的“1”電平誤讀為“0”電平�，F采用讀輸出鎖存器代替讀引腳，圖中，上面的三態緩沖器就為讀鎖存器Q端信號而設，讀輸出鎖存器可避免上述可能發生的錯誤。

準雙向口從圖中可以看出，在讀入端口數據時，由于輸出驅動FET并接在引腳上，如果T2導通，就會將輸入的高電平拉成低電平，產生誤讀。所以在端口進行輸入操作前，應先向端口鎖存器寫“1”，使T2截止，引腳處于懸浮狀態，變為高阻抗輸入。這就是所謂的準雙向口。

端口的負載能力和接口要求
P0口的輸出級無上拉電阻。當輸出要去驅動NMOS（N溝道增強型場效應管）等負載時，需外接上拉電阻，這時才有高電平輸出；作為輸入用時，需向端口寫“1”；作為地址/數據總線用時，無需外接上拉電阻。
P0口的每一位口線可驅動8個LS型TTL負載。
1. P0口
2. P1~P3口
• P1~P3口都是準雙向口，作為輸入用時，必須向相應的端口寫“1”；
• P1~P3口內部有上拉電阻，其每一位口線可驅動4個LS型TTL負載。

P0口的驅動能力較大，當其輸出高電平時，可提供400mA的電流（“拉電流”）；當其輸出低電平（0.45V）時，則可提供3mA左右的“灌電流”。
P1、P2、P3口的每一位只能驅動4個LSTTL，即可提供的電流只有P0口的一半。所以，任何一個口要想獲得較大的驅動能力，只能用低電平輸出。
P1、P3口的驅動能力有限，在低電平輸出時，一般也只能提供不到2mA的“灌電流”。

還有關于寄存器的介紹與使用及編程教程請從附件下載
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ID:462569 · 發表于 2019-1-5 17:02

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