MOS管H橋電機驅動電路的問題,電機下端的MOS管發熱量很大?

ID:601478 · 發表于 2021-8-20 16:34

用H橋做直流電機正反轉，發現處于電機下端的MOS管發熱功率比處于電機上端的MOS要大很多，按單一方向串聯電路來看，一條支路上的電流處處相等才對，測Vgs電壓MOS管完全導通，但實際卻是兩個管的發熱功率不一樣，期待大佬們的回復

ID:752974 · 發表于 2021-8-21 08:37

一般的H橋下端是NMOS，發熱主要是NMOS沒有完全導通，就是偏壓低，這個電壓應該在10~12V.

ID:517951 · 發表于 2021-8-21 09:33

MOS發熱量大，溫度高，要么是MOS導通電阻大，要么是沒有完全控制導通，現在SOT-32封裝的MOS管的導通電流都能做到幾安，所以要查查控制電路是否給足了MOS管柵極電壓。

ID:491875 · 發表于 2021-8-21 19:20

有可能存在部分與上MOS管直接導通情況導致部分時間段出現短路

ID:961670 · 發表于 2021-8-21 23:19

本帖最后由電子初哥于 2021-8-21 23:30 編輯

1，電機功率是多少？估計是 MOS管的Ids電流不夠。

ID:961670 · 發表于 2021-8-21 23:27

主要查以下3點：
1，電機功率是多少？
2，MOS管最大導通電流是多少？
3，MOS管GS電壓是多少？
通常實際Vgs電壓小于完全導通的Vgs電壓，MOS管是不會發燙的。最有可能的是MOS管完全導通，而 Ids 的最大承受電流小于電機工作電流。

ID:961711 · 發表于 2021-8-22 09:06

首先對題主所講“測Vgs電壓MOS管完全導通”保持謹慎的懷疑。這里可以用示波器觀察一下Vgs觸發瞬間的波形，看導通后是否有電壓跌落。如確認完全導通，唯一可能是此NMOS導通電阻較大。因為同樣封裝的管子，散熱情況基本相同的。

ID:420836 · 發表于 2021-8-22 09:33

檢查 MOSFET 是否真正處于飽和模式，此時導通電阻最小。

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